Samsung ha anunciado el comienzo de la producción en masa de la primera memoria eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) de 512 GB de la industria, para su uso en smartphones premium. Al ofrecer tres veces la velocidad de escritura de la memoria móvil anterior de 512 GB eUFS 3.0, la nueva memoria eUFS 3.1 de Samsung rompe con el umbral de rendimiento de 1GB/s en el almacenamiento de smartphones.
«Con esta nueva solución de almacenamiento móvil más rápida, los usuarios de smartphones ya no tendrán que preocuparse por aquellos problemas que suelen aparecer con las tarjetas de almacenamiento convencionales», afirmó Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria en Samsung. «La nueva eUFS 3.1 refleja nuestro compromiso continuo de apoyar la demanda cada vez mayor de los fabricantes mundiales de smartphones durante este año».
La nueva memoria eUFS 3.1 de Samsung rompe con el umbral de rendimiento de 1GB/s en el almacenamiento de smartphones
A una velocidad de escritura secuencial de más de 1.200 MB/s, la memoria Samsung eUFS 3.1 de 512 GB cuenta con más del doble de velocidad que un ordenador basado en SATA (540 MB/s) y más de diez veces la velocidad de una tarjeta microSD UHS-I (90 MB/s). Esto significa que los usuarios pueden disfrutar en sus smartphones de la velocidad de un ordenador portátil ultradelgado al almacenar archivos masivos como vídeos de 8K o cientos de fotos de gran tamaño, sin buffering. Además, la transferencia de contenido de un teléfono antiguo a un nuevo dispositivo también implicará menos tiempo. Los teléfonos con el nuevo eUFS 3.1 solo tardarán, aproximadamente, 1,5 minutos en mover 100 GB de datos, mientras que los teléfonos basados en UFS 3.0 requieren más de cuatro minutos.
En términos de rendimiento, el sistema eUFS 3.1 de 512 GB procesa hasta un 60% más rápido que la versión anterior UFS 3.0, ofreciendo 100.000 operaciones de entrada/salida por segundo (IOPS) para lecturas y 70.000 IOPS para escrituras.
Junto con la opción de 512 GB, Samsung también tendrá capacidades de 256 GB y 128 GB disponibles para aquellos smartphones que se lanzarán a finales de año.
Samsung comenzó este mes la producción masiva de V-NAND de quinta generación en su nueva línea (X2) de Xian, China, para satisfacer plenamente la demanda de almacenamiento en todo el mercado de smartphones insignia y de alta gama. La compañía planea cambiar próximamente la producción en masa de V-NAND de su línea Pyeongtaek (P1) en Corea, para pasar de V-NAND de quinta generación a una sexta generación, para así abordar mejor una mayor demanda.
Listado de memorias de almacenamiento integrado de Samsung
| Producto | Lectura secuencial | Escritura secuencial | Lectura aleatoria | Escritura aleatoria |
| 512GB eUFS 3.1 (Marzo 2020) | 2100MB/s | 1200MB/s (mejora x3) | 100,000 IOPS (mejora x1.6) | 70,000 IOPS (mejora x1.03) |
| 512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019) | 2100MB/s | 410MB/s | 63,000 IOPS | 68,000 IOPS |
| 1TB eUFS 2.1 (Enero 2019) | 1000MB/s | 260MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860MB/s | 255MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Automotive UFS 2.1 (Sept. 2017) | 850MB/s | 150MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| 256GB UFS Card (Julio 2016) | 530MB/s | 170MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850MB/s | 260MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 (Enero 2015) | 350MB/s | 150MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
